Jak na věc


katalog polovodičové odpory

TOGGLE-, ROCKER-, PUSH-BUTTON-, ROTARY- MINI- SWITCHES

    11 Nastavení klidové polohy pracovního bodu tranzistoru Vztah mezi čtyřmi obvodovými veličinami tranzistoru je vyjádřen soustavou dvou čtyřpólových rovnic. Proto pro jednoznačné určeni klidové polohy pracovního bodu P o dostačuje znalost charakteristik a dvě z obvodových veličin. Jejich velikost se určí buď z katalogu, kde je uváděna doporučená poloha pracovního bodu, nebo se volí s ohledem na požadované vlastnosti zapojení. U tranzistoru v zapojení se společnou bází (obr. ) vychází bod P o pro napětí U C = 4,5 V, napětí zdrojů U 01 = 2 V, U 02 = 10V a odpor R C = 1,9 kω, na zatěžovací charakteristice v poloze, která odpovídá zadanému napětí U C. Z polohy bodu P o se zjistí proud I C = 2,9 ma a proud I E = 3 ma. V soustavě vstupních charakteristik je poloha bodu P 0 dána již známými hodnotami U C a I E. Zjištěné hodnotě U E = 0,18 V a zdroji U 01 = 2 V vyhovuje odpor R E = 600 Ω. Obdobným způsobem je odvozena klidová poloha bodu P 0 pro tranzistor v zapojení se společným em


VICOR 800V Ultra High Voltage Bus Converter Module

    18 Na charakteristice tyristoru se kromě vratného proudu vyznačuje též přídržný proud I L. Má-li se tyristor udržet v zapnutém stavu, musí se proud při zapínání zvětšit na hodnotu přídržného proudu dříve, než klesne na nulu řídicí proud I G. V opačném případě se tyristor vrací do blokovacího stavu bezprostředně po skončení řídicího proudu. Funkci tyristoru lze vysvětlit na náhradním zapojení dvou komplementárních tranzistorů PNP a NPN (obr. 27). Po zavedení řídicího proudu I G se otevírá tranzistor T 2 a jeho kolektorový proud I 1 budí bázi 1. Přes otevírající se tranzistor T 1 se zvětšuje proud I 2 do báze 1 a celý děj se multiplikuje, až oba tranzistory přejdou do vodivého stavu. Obr. 27. Náhradní zapojení tyristoru pomocí dvou komplementárních tranzistorů Triak Triak je obousměrný triodový tyristor se dvěma anodami A 1, A 2 a řídicí elektrodou G. Je tvořen pětivrstvou strukturou NPNPN, kterou spíná řídicí elektroda kladným i záporným řídicím proudem při obou polaritách napětí mezi a
    The new DCM3717, a regulated 48V-to-12V converter. The new DCM operates from a 40 – 60V SELV input, is non-isolated and provides a regulated output with a range of 10.0 – 13.5V, a continuous power rating of 750W and a peak efficiency of 97.3% in a 37 x 17 x 7.4mm
    Vodivost polovodiče neroste jen se stoupající teplotou. Další příčina lepší vodivosti může být světelným zářením, které na polovodič dopadá. Tento jev se využívá v součástce nazvané fotorezistor. Fotorezistor je polovodičová součástka, jejíž odpor závisí na osvětlení. Použitím a zapojením se neliší od fotodiody. Rozdíl je jen v tom, že fotorezistor má stejnorodou strukturu, zatímco fotodiodu tvoří krystal s přechodem PN. Fotorezistory se vyrábějí z oxidu manganatého, hořečnatého, vápenatého apod.


Family of VI Chip DCM™ Converter Modules

    S vtipem představuje základní přírodní jevy a zákony, seznamuje se světem vědy a techniky a láká k experimentování. Nachází se v historických budovách plzeňské Škodovky. Za proměnu starých továrních hal v moderní centrum vědy a techniky získala několik ocenění v soutěži Stavba roku.
    13 V grafickém zobrazení určují rovnice soustavu výstupních a převodních charakteristik, které jsou zobrazeny na obr. 20. Jejich průběh připomíná charakteristiky pentody, u které katoda odpovídá emitoru, anoda kolektoru a řídicí mřížka hradlu. Obr. 20 Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru, řízeného elektrickým polem s přechodem PN kanál N. Tranzistory řízené elektrickým polem s izolační vrstvou typu MOS s indukovaným nebo vodivým kanálem Tranzistor MOS s indukovaným kanálem je tvořen základní polovodičovou destičkou slabě dotovanou příměsí, tj. o velkém odporu. Na destičce, (např. s vodivostí P) jsou zhotoveny dvě oblasti s opačným typem vodivosti N, ze kterých jsou vyvedeny kolektor a emitor. Kovové hradlo G je od základní destičky odděleno izolační vrstvičkou kysličníku křemičitého (obr. 21). Obr. 21. Tranzistor řízený elektrickým polem typu MOS s indukovaným kanálem


USB-RS232 Media Converter 650 nm

    12 Unipolární tranzistory Unipolární tranzistory, kterým dnes častěji říkáme tranzistory řízené elektrickým polem a označujeme je zkratkou FET (field-effect-transistor) dělíme na: tranzistory řízené elektrickým polem s izolační vrstvou typu MIS (popř. MOS) s indukovaným kanálem s vodivým kanálem tranzistory řízené elektrickým polem s přechodem PN Tranzistory řízené elektrickým polem s přechodem PN Obr. 19. Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodem PN, struktura tranzistoru s kanálem N Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodem PN (struktura tranzistoru s kanálem N) je tvořen podle obr. 19 polovodičovou destičkou s vodivostí N, na jejíž horní a dolní stěně je vytvořena polovodičová vrstvička s opačnou vodivostí P. Tranzistor řízený elektrickým polem má tři elektrody: kolektor C a emitor E jsou umístěny na protilehlých koncích základní destičky; hradlo G je vyvedeno z polovodičové vrstvy P. Na emitorovém přechodu PN, který je polarizován v závěrném směru předpětím hradla U GE,


Společnost Vienna Components Trading, s.r.o. se již od roku 1994 zabývá distribucí elektronických a elektromechanických komponent průmyslové elektroniky.

    8 Vstupním obvodem tranzistoru se sice uzavírá současně tok děr z báze do emitoru, ale vzhledem k malé koncentraci příměsí v bázi je proud vzniklý tokem děr přes přechod nepatrný. Výsledný kolektorový proud I C závisí na emitorovém proudu složkou α a na zbytkovém proudu I C0, I = α I + I C E C0 I E Protože převážná část elektronů proniká z emitoru přes bázi na kolektor, je zesilovací činitel nakrátko v zapojení S, jen o málo menší než jedna. α, tzv. stejnosměrný proudový I C α = při U C = konst. I E Vzhledem k tomu, že množství elektronů, které přecházejí na kolektor, závisí pouze na proudu emitoru, lze zvětšením závěrného napětí U C zvětšit odpor kolektorového obvodu řádově až na 10 6 Ω. To umožňuje zařadit do výstupního obvodu veliký zatěžovací odpor, aniž by se podstatně zmenšila velikost kolektorového proudu. Přitom emitorový přechod, který je polarizován v propustném směru, má malý odpor, řádově 10 Ω. Ze zatěžovacího odporu R C se odebírá veliké
    Polovodiče jsou látky, jejichž hodnota rezistivity je mezi hodnotami rezistivity kovových vodičů a izolantů, nabývá tedy hodnot v poměrně širokém řádovém rozmezí 10–5 Ω m ¸ 10+6 Ω m; přitom hodnota této fyzikální veličiny výrazně klesá s rostoucí teplotou polovodiče. S rostoucí teplotou se uvolňuje více elektronů, proto vodivost roste. Za nízkých teplot jsou velmi dobrými izolanty, naopak za vyšších teplot jsou dobrými vodiči. Elektrické vlastnosti polovodivých materiálů lze podstatně ovlivnit už nepatrným množstvím vhodných příměsí.


The UltiMod Series from Excelsys

    10 Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru se zakreslují v závislosti na zvoleném tvaru čtyřpólových rovnic a na zapojení tranzistoru. Např. pro tranzistor typu NPN v zapojení se společnou bází vychází soustava čtyřpólových rovnic s parametry h ve tvaru: U E = h 1 (I E, U C ) Ic = h 2 (I E, U C ) Grafickému zobrazení charakteristických rovnic odpovídá soustava charakteristik vyznačená na obr.16 Charakteristiky tranzistoru NPN v zapojení se společným emitorem odvozené z charakteristických rovnic s parametry h jsou vyneseny na obr.17. Obr. 17. Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru NPN v zapojeni se společným emitorem odvozené ze čtyřpólových rovnic s parametry h (U CE = 5V). U výstupních charakteristik je v obou zapojeních výrazná jejich lineárnost, a průběh téměr rovnoběžný s osou napětí. V zapojení se společnou bází probíhají výstupní charakterisitiky až do záporných hodnot napětí U C. Protože vliv kolektorového napětí téměř neovlivňuje průb


RIFA PEH Kondenzátor Elektrolyt –40 až +85°C

    14 Izolační vrstvička tvoří dielektrikum kondenzátoru, jehož elektrodami jsou hradlo a polovodičová destička. Po připojení napětí U GE kladnou svorkou na hradlo a zápornou na emitor, se kondenzátor nabije a na základní destičce se indukuje vrstva záporných nábojů, která mění v příslušné oblasti vodivost destičky z typu P na N. Mezi kolektorem a emitorem, které byly před připojením zdroje odděleny polovodičem P o velkém odporu, vzniká indukcí vodivý kanál. Po připojení napětí U CE kladnou svorkou na kolektor, prochází kanálem kolektorový proud I C. Protože kolektor i hradlo mají vzhledem k emitoru kladný potenciál, snižuje se vlivem procházejícího proudu napětí mezi hradlem a kanálem. Menšímu napětí odpovídá i menší velikost indukovaného náboje, a vodivý kanál se proto v závislosti na proudu I C, tj. v závislosti na napětí U CE, zužuje směrem ke kolektoru. Charakteristiky tranzistoru MOS se odvozují z admitančního tvaru čtyřpólových rovnic (obr. 21). I G = Y 1 (U GE, U CE ) = 0 I C = Y
    Při zvyšování teploty nad určitou hranici počet volných elektronů a děr ve vodiči roste značně rychleji. Této vlastnosti se používá k měření teplot s využitím polovodičových součástek, tzv. termistorů. Odpor polovodiče se vzrůstající teplotou klesá, kdežto odpor kovů při zvyšování jejich teploty stoupá. Tím se polovodiče podstatně liší od vodičů.
    Firma dodává AC/DC, DC/DC, DC/AC, spínané zdroje a měniče, elektronické součástky aktivní a pasivní, odpory, kondenzátory, LED program, optické kabely a komponenty vláknové optiky, speciální HV vysokonapěťové zdroje a zdroje pro laboratorní popř. testovací aplikace, informační systémy a displeje pro cestující v dopravních prostředcích.
    Vhodně přimíšené akceptory zvyšují, stejně jako donory, vodivost polovodičů tím, že jim dodávají částice, které mohou přenášet náboje. Vodivost polovodičů je mnohonásobně, např. tisíckrát větší než vodivost vlastních polovodičů.


E-T-A SVS25 Distribution System

    5 se stane destruktivním. U diody polarizované v závěrné směru vzniká na přechodu vrstva vázaných iontů. Tato vrstva ochuzená o volné nosiče elektrických nábojů se chová jako polarizované dielektrikum kondenzátoru, jehož kapacita' závisí na tloušťce vrstvy a ploše přechodu. Plošné diody mají poměrně značnou kapacitu, řádově 10 2 pf, která omezuje jejich použití na vyšších kmitočtech. Hrotová dioda Hrotová dioda je tvořena destičkou z polovodičového materiálu, např. z germania typu N, na kterou je přitisknut wolframový drátek. Oblast doteku se zlepšuje formováním, při kterém se dioda zatíží několika proudovými impulsy asi jednoho ampéru. Vlivem vysoké teploty, která vznikne pod hrotem drátku, se změní struktura polovodičového materiálu a v oblasti doteku se vytvoří germanium s vodivostí P (obr.7). Hrotové diody využívají vlastností přechodu PN, ale vzhledem k nepatrné ploše přechodu mají malou kapacitu, a jsou proto použitelné až do kmitočtů řádově 10 9 Hz. Na rozdíl od plošných diod, u
    Stovky interaktivních exponátů, gyroskop, 3D planetárium, programy v dílnách a laboratořích, krátké filmy promítané na obří interaktivní globus nebo zábavné vědecké show – to je Techmania Science Center v Plzni.


Vicor introduces the DCM3717, a 750W regulated 48V-to-12V converter with 97% peak efficiency

    16 Obr. 24. Charakteristika diodového tyristoru Zapnutí diodového tyristoru, tzv. tyristorový jev, závisí na velikosti napětí U F mezi anodou a katodou. Je-li kladný pól zdroje připojen na anodu, přenáší se skoro celé napětí na závěrně polarizovaný přechod J 2 (obr. 23). Minoritní nosiče nábojů vstřikované z krajních vrstev P 1, N 2 na vnitřní vrstvy P 2, N 1 jsou tímto napětím urychlovány, přecházejí přes přechod, kde narážejí na atomy krystalové mřížky a rekombinují s pevnými ionty potenciální přehrady. Některé z nich získají mezi dvěma po sobě následujícími srážkami energii dostačující k nárazové ionizaci. Takto vznikají další nosiče nábojů, dvojice elektron a díra, které se ihned rozletí směrem na přechody J 1, J 3. Jejich působením se snižuji potenciální přehrady na těchto přechodech, což se projeví zvětšením počtu nosičů nábojů opačné polarity, které se pohybují z okrajových vrstev do středních a dále přes přechod J2. Při napětí vyšším než blokovací napětí U (0) nastává nedestruk


Copyright © Dossani milenium group 2000 - 2020
cache: 0000:00:00